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Weg frei für 4-GByte-Module: Hynix mit 40nm-DRAMs
Friday, November 20, 2009Mit Hynix nimmt nun nach Samsung und Elpida der dritte DRAM-Hersteller die Serienproduktion von Bausteinen mit 40 Nanometern Strukturbreite auf. Das lässt für 2010 auf bezahlbare Module mit 4 GByte Kapazität hoffen.
Original article from http://www.golem.de/0911/71370-rss.html
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